یک ترانزیستور مثبت است و مشابه آن ترانزیستور است.

جایگزینی و مشابه: می توانید bc 547 را با bc548 ، Bc549 ، 2N2222 ، 2N3904 ، 2N4401 ، BC337 جایگزین کنید.

****

ترانزیستورBC547، یک ترانزیستور BJT از نوع NPN که دارای مقدار بهره 110 تا 800 است، هنگامی که این ترانزیستور به طور کامل بایاس شود، می‌تواند حداکثر جریان 100 میلی آمپر در کلکتور و امیتر برقرار شود. علاوه بر آن ولتاژ در کل کلکتور-امیتر (VCE) یا Base-Emitter (VBE) می تواند به ترتیب 200 و 900 میلی ولت باشد. هنگامی که جریان بیس حذف می شود، ترانزیستور کاملاً خاموش می شود، این مرحله به عنوان منطقه قطع نیز نامیده می‌شود و ولتاژ امیتر پایه می‌تواند حدود 660 میلی ولت باشد.

مشخصات

پیکربندی ترانزیستور : NPN
نوع ترانزیستور : BJTs – Bipolar
جریان کلکتور-امیتر (Iceo) : 100 میلی آمپر
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر(Vceo) : 45 ولت DC
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcbo) : 50 ولت DC 
فرکانس کاری  : 300 مگاهرتز
ضریب تقویت جریان – بهره (hFE): حداقل 110 و حداکثر 800 (متناسب با شرایط)
حداقل و حداکثر دمای : 65-  الی 150+ درجه سانتی گراد
پکیج : TO-92

کاربرد 

تقویت کننده سیگنال
کلید الکترونیکی
مبدل سیگنال
تقویت کننده‌های آمپلی‌فایر
مدارهای تایمر
مدارهای تشدید و غیره 

ترتیب پایه ها

پایه Base: این پایه به عنوان پایه کنترلی برای جریان بین کلکتور(Collector) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Collector: این پایه به عنوان پایه جمع کننده جریان از بین پایه بیس(Base) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Emitter: این پایه به عنوان پایه خروجی جریان از ترانزیستور عمل می‌کند.

Specification 

Product Category: Bipolar Transistors – BJT
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Subcategory: Transistors
Technology: Si  
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Pd – Power Dissipation: 500 mW
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Minimum Operating Temperature: – 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Brand: onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current: 0.1 A
Product Type: BJTs – Bipolar Transistors